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Cree-SiC MOSFETs使新一代高效電源成為可能

發布日期 2020-10-22
Cree公司(納斯達克代碼:Cree)宣布,其新擴展的1200 V SiC MOSFET產品組合將並入Delta Elektronika BV公司 的 電源中。與使用傳統硅技術的電源產品相比,Delta Elektronika的總體電源損耗減少了21%,組件數量減少了45%。

Delta Elektronika BV的主管Job Koopmann說:“我們很高興在我們的產品系列中使用Cree的新型SiC晶體管,因為它提高了我們產品的效率和功率密度。開關行為是突出的,控制MOSFET是簡單和直接的。該設備有助于我們繼續開發更可靠的產品,這是我們的客戶對我們的期望。”

自1959年以來,總部位於荷蘭的Delta Elektronika BV一直是為各種工業應用生產高可靠性、高質量電源的 ,例如用於工廠、自動化和工業電力轉換的專用設備。它的電源通常提供高效率和低噪音水平,並以其較長的工作壽命而聞名。Delta Elektronika BV在其 的電源系列中採用了Cree 的第二代SiC MOSFET,在部署和交付高度可靠的 技術方面處於行業 地位。

Cree Power和RF總經理Cengiz Balkas說:“我們很高興德爾塔Elektronika BV成為我們 一代SiC MOSFET的批量採用者之一。“Delta Elektronika BV擁有半個世紀的曆史,生產市場上最可靠、 效、最緊湊的電源。重視效率、可靠性和功率密度的工業電源市場是sicmosfet技術的關鍵市場。我們的新的第二代SiC MOSFET產品組合,現在包括用於5-10 kW市場的160 mOhm MOSFET,正在獲得強大的市場吸引力。”

Cree公司的第二代SiC MOSFET于2013年3月推出,在整個電力行業廣受好評,在幾個關鍵應用領域的採用率正在不斷提高,其中包括一家主要製造商的下一代高效光伏逆變器的設計。使用SiC,電源製造商能夠減少其組件數量,以幫助提高可靠性,同時保持或提高電源的效率。提高功率密度還可以降低體積、重量、體積,在某些情況下甚至可以降低電源的成本。在標準電源設計中,碳化硅的功率密度已被証明是典型硅技術的兩倍以上。
如您要了解更多CREE新聞資訊,參考:https://creechina.diytrade.com/sdp/2955192/2/nl-7800275/0/CREE資訊.html






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